전력반도체 개발

[전력반도체 개발]IGBT 개발
- IGBT 신구조 소자·공정·기술 개발
- 신제품 설계 및 개발
- 기술·제품 평가, 검증, 분석SiC MOSFET 개발
- SiC 신구조 소자·공정·기술 개발
- 신제품 설계 및 개발
- 기술·제품 평가, 검증, 분석

석사 : 1~3학기 재학생박사 : Coursework 수료 이후 2년 이내 재학생
※ Coursework 수료기준 : 성적표 상 학점이 더 이상 기입되지 않는 시점남성의 경우 병역을 마치셨거나 면제되신 분 (병역특례로 지원불가)학부성적기준 평점 ‘B’ 이상이신 분해외여행에 결격사유가 없으신 분

전력반도체 Fundamental에 대한 이해 보유자
(MOSFET, 다이오드, IGBT 동작 원리, 물성 및 소자별 특성 등)전력반도체 단위 공정에 대한 이해 보유자전력반도체 설계 Tool 경험자 (TCAD 및 유사 전력반도체 설계/레이아웃 툴)전력반도체 평가(DC/AC) 경험자

지원서 접수(~9/12) → 인성검사+AI역량검사(9/末) → 1차 면접(10/中) → 2차 면접(11/初) → 채용 검진(11/末) → 장학생 선발(12/初)
※ 운영 상황에 따라 일부 전형은 온라인으로 진행될 수 있으며, 전형 및 일정 또한 변경될 수 있습니다.
※ 본 전형은 인성검사와 함께 AI역량검사가 진행될 예정이며, 2차 면접 시 영어 면접이 실시되오니 참고하시기 바랍니다.
※ 입사 시점은 개인별 남은 학위 기간에 따라 달라질 수 있습니다. 선발된 장학생에게 개별 안내드릴 예정입니다.
※ 장학생 선발을 위한 상세 일정은 전형별 합격자에 한해 개별 안내드릴 예정입니다.